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低压场效应管

SW75N75

SW-PD-P243-B2

产品线信息

低压场效应管
产品特性
VDSS75V,ID75.0A,Package TO-220,RDS(ON) 0.009ohm,N-channel MOSFET,75N75
典型参数
漏极-源极电压 VDSS(V):75 连续漏极电流 ID(A):80.0 导通电阻RDS(ON) (Ω):0.009 耗散功率 PD(W):None 结温范围Tj(℃):-55 ~ + 150
应用领域
None Available
产品图纸及档案
产品尺寸图 产品应用指南 产品选型手册
DIMENSIONS-TO-220.pdf (PDF 文件,45.79 KB) None Available Mosfet-Catalog.pdf (PDF 文件,44.98 KB)
产品数据手册 产品包装说明 中国RoHs报告
SW75N75.pdf (PDF 文件,1.26 MB) Mosfet-Packaging.pdf (PDF 文件,44.98 KB) Mosfet-RoHS.pdf (PDF 文件,182.37 KB)
产品图纸及档案
极限参数 产品电性能 相关说明
漏极-源极电压 VDSS(V):75 最大脉冲漏极电流IDM(A):0.009 符合RoHS环保要求:是
连续漏极电流 ID(A):80.0 最高栅源电压 VGSS(V):±30 符合Reach环保要求:是
导通电阻RDS(ON) (Ω):0.009 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):None 包装方式:管装
耗散功率 PD(W):None Continuous source current Is (A):80.0 典型应用领域:电源
结温范围Tj(℃):-55 ~ + 150 引线最高焊接温度 TL(℃):300